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Neues Chipdesign für Wireless-Geräte/künftige Chips vierfach so
leistungsfähig oder mit bis zu fünffach geringerem Strombedarf als heute
Yorktown Heights, NY, USA: 30. September 2003: IBM kündigt ein innnovatives
Chipdesign für künftige Wireless-Geräte an. Damit könnten künftige Chips bis zum Fünffachen weniger Strom gegenüber heutigen Designs benötigen, oder
die Leistung ließe sich um das Vierfache steigern.
Diese Ankündigung beruht auf den jüngsten Vorstellungen intelligenter neuer
Design- und Fertigungsmethoden von IBM, die die Leistung und die Stromaufnahme reiner Rechenchips optimieren.
Da die Wireless-Branche ständig weiter wächst, benötigen Gerätehersteller bessere Misch-Signal-Chips, die Computing-Anwendungen ebenso wie
Hochfrequenz-Kommunikationsanwendungen unterstützen. Das heute vorgestellte neue Chip-Design nützt einen revolutionären Silizium-Wafer, der dünn genug
ist, um die Leistung sowohl der Computing- wie auch der Kommunikationskomponenten zu maximieren.
Heutige CMOS-Chips (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sind die Grundlage für Computing-Anwendungen; SiGE-Bipolar-Chips
(Silizium-Germanium) stellen Radiofrequenz-Kommunikation und analoge Funktionen bereit. Um die Zuverlässigkeit von Wireless-Geräten zu
verbessern, haben Chiphersteller SiGe-BiCMOS-Chips entwickelt. Dabei werden die Computing- und Kommunikationstransistoren auf einem Chip platziert.
Bisherige Lösungen benötigen separate Chips für die beiden verschiedenen Anwendungsbereiche.
CMOS-Computerchips zeigen eine höhere Leistung, wenn sie auf einem dünnen Silicon-on-insulator-Wafer (SOI) produziert werden. Traditionelle
SiGE-Bipolar-Transistoren können jedoch nicht auf einem solchen SOI-Wafer erzeugt werden. Bisher konnte daher niemand eine Technik bereitstellen, die
die beiden Typen auf einem Wafer kombiniert, und die Leistung beider Typen maximiert.
IBM ist jetzt der erste Hersteller, der SiGE-Bipolar-Transistoren unter Verwendung eines SOI-Wafers erzeugt. Das neue Chip-Design könnte innerhalb
der nächsten fünf Jahre eingeführt werden, und damit beispielsweise Anwendungen wie Video-Streaming auf Mobiltelefonen ermöglichen.
Details des jetzt vorgestellten Chip Designs werden auf dem 2003 Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting in Toulouse (Frankreich)
präsentiert.
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